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FT60F112-RB
FT60F112-RB
主要参数
封装:SOP14
ROM:1K
RAM:64
属性:flash
类型:8位通用IO型MCU

艾能微提供FT60F112-RB型号单片机规格书及详情文档
提供技术支持及开发工具,烧录编带打字等服务
可开发单片机方案及PCBA方案 
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FT60F112-RB特性
主要特性

8bit 基于 EEPROM RISC MCU
Program: 2k x 14; RAM: 128 x 8; Data: 256x 8
6 / 8 / 10 / 14 / 16 引脚
3 个定时器, 3 路独立 PWM 1 路带死区控制
Standby, WDT 和工作电流
POR, LVR, LVD – 单输入比较器
可配置源电流和灌电流
ESD, EFT
VDD工作电压
HIRC 可微调

8bit CPU (EEPROM)
37 RISC 指令: 2T or 4T
16 MHz / 2T (VDD ≥ 2.5)
多达 16 个引脚

I/O PORTS (多达 14 I/O)
上拉/下拉电阻
14 I/O 源电流: 4, 8 or 32mA (5V, 25°C)  
14 I/O 漏电流: 56 or 79 mA (5V, 25°C)
8 I/O: 中断/唤醒
Memory
PROGRAM: 2k x 14 bit (/写保护)
DATA: 256 x 8 bit
RAM: 128 x 8 bit
8 层硬件堆栈
用户密匙:Hex 加密
电源管理
SLEEP
LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)
LVD: 2.0, 2.4, 2.8, 3.0, 3.6, 4.0 (V) (LVD 可用作极性可选的单输入比较器功能)
工作条件 (5V, 25°C)
VDD (VPOR ≤ 1.9V) VPOR − 5.5 V (通过 POR 自动调整,0°C 以上 ≤1.7V)
工作温度等级 1 40 − +125 °C
工作温度等级 2 40 − +105 °C
工作温度等级 3 40 − + 85 °C
Standby 0.2 μA
WDT 2.3 μA
正常模式 (16 MHz) 132 μA/mips
系统时钟 (SysClk)
HIRC 高速内部振荡器
16MHz <±1.5% typical (2.5−5.5V, 25°C)
可微调
1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 分频
LIRC 低功耗低速内部振荡器
32 kHz 256 kHz
EC 外部时钟 (I/O 输入)
LP / XT 晶振输入
双速时钟启动 (HIRC LIRC)
故障保护时钟监控
高可靠性
100 万次擦写次数 (typical)
> 20 / 85°C 存储 (typical)
ESD > 4 kV
EFT > 5.5 kV
其他特性 (欢迎垂询)
½ VDD LCD 偏置
PWM (Total 3)
支持在 SLEEP 下运行
3 个通道 (相同周期)
独立:占空比,极性
1 个通道 (多达 6 I/O)
互补输出+死区 自动故障刹车 (I/O, LVD)
XOR, XNOR 2 功能
单脉冲模式;蜂鸣器模式
Timers
WDT (16−bit): 7−bit 后分频
Timer0 (8−bit): 8−bit 预分频
Timer2 (16−bit): 4−bit 预分频和后分频
支持在 SLEEP 下运行
LIRC, 1 or 2x {指令时钟, HIRC, 晶振}, 2x  EC
集成开发环境 (IDE)
片上调试 (OCD)ISP
3 个硬件断点
软复位,暂停,单步,运行等
封装
SOT23-6 SOP8 MSOP10 SOP14 SOP16

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