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NY8AE51D
NY8AE51D
主要参数
基本参数
品牌:台湾九齐
封装:SOP8
类型:MTP(6 I/O 8-bit MTP-Based MCU with EEPROM)
ROM:1k*14
RAM:64*8


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概述 NY8AE51D是以MTP作為程式記憶體, 並以EEPROM作為資料記憶體的 8 位元微控制器,特別適合斷電後還需保持 資料內容的IO產品的應用,例如遙控器、風扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。而MTP作為程式記憶體能更方便且有 效率的開發產品。NY8AE51D核心建立在RISC精簡指令集架構可以很容易地做編輯和控制,共有 60 條指令。除了少 數指令需要 2 個時序,大多數指令都是 1 個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應用。因此非 常適合各種中低記憶容量但又複雜的應用。 I/O的資源方面,NY8AE51D6 根彈性的雙向I/O腳,每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一 I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產品方 面,NY8AE51D內建了可選擇頻率的紅外載波發射口。 NY8AE51D有兩組計時器,可用系統頻率當作一般的計時的應用或者從外部訊號觸發來計數。另外NY8AE51D提供 3 10 位元解析度的PWM輸出及一組蜂鳴器輸出,可用來驅動馬達LED、或蜂鳴器等等。 NY8AE51D採用雙時鐘機制,高速振盪或者低速振盪都由內部RC振盪輸入。在時鐘機制下,NY8AE51D可選擇多 種工作模式如正常模式(Normal)慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節省 電力消耗延長電池壽命。 在省電的模式下如待機模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中,有多種事件可以觸發中斷喚醒NY8AE51D入正常操作模式(Normal) 慢速模式(Slow mode) 來處理突發事件。
 功能
寬廣的工作電壓:(指令週期為 4 CPU clock,亦即 4T模式) 2.4V ~ 5.5V @系統頻率≦8MHz
寬廣的工作温度:-40°C ~ 85°C
1Kx14 bits MTP
64 bytes SRAM
64 bytes EEPROM
6 根可分別單獨控制輸入輸出方向的I/O(GPIO)PB[5:0]
PB[3:0]可選擇輸入時使用內建下拉電阻。
PB[5:0]可選擇上拉電阻或開漏極輸出(Open-Drain)
8 層程式堆棧(Stack)
存取資料有直接或間接定址模式。
一組 8 位元上數計時器(Timer0)包含可程式化的頻率預除線路。
一組 10 位元下數計時器(Timer1)可選重複載入或連續下數計時。
三個 10 位元的脈衝寬度調變輸出(PWM1/2/3)
一個蜂鳴器輸出(BZ1)
38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇,同時載波之極性也可以根據數據作選擇。
內建上電復位電路(POR)
內建低壓復位功能(LVR)
內建 16.段低電壓偵測功能(LVD)
內建看門狗計時(WDT),可由程式韌體控制開關。
雙時鐘機制,系統可以隨時切換高速振盪或者低速振盪。
高速振盪: I_HRC (1~20MHz內部高速RC振盪)
低速振盪: I_LRC (內部 32KHz低速RC振盪)
四種工作模式可隨系統需求調整電流消耗:正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby  mode) 與 睡眠模式(Halt mode)
七種硬體中斷: Timer0 溢位中斷。 Timer1 借位中斷。 WDT 中斷。 PB 輸入狀態改變中斷。 外部中斷輸入。 低電壓偵測中斷。 EEPROM寫入完成中斷。
NY8AE51D在待機模式(Standby mode)下的六種喚醒中斷: Timer0 溢位中斷。 Timer1 借位中斷。 WDT 中斷。 PB 輸入狀態改變中斷。 外部中斷輸入。 低電壓偵測中斷。
NY8AE51D在睡眠模式(Halt mode)下的三種喚醒中斷: WDT 中斷。 PB 輸入狀態改變中斷。 外部中斷輸入。
NY8AE51D提供兩種電流檔位(Small / Normal)

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8AE51D

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