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FT60F211-RB特性
主要特性
8−bit 基于 EEPROM 的 RISC MCU
Program: 1k x 14; RAM: 64 x 8; Data: 128x 8
6 / 8 引脚
3 个定时器, 4 路独立 PWM − 1 路带死区控制
低 Standby, WDT 和工作电流
POR, LVR, LVD – 单输入比较器
可配置源电流和灌电流
高 ESD, 高 EFT
低VDD工作电压
HIRC 可微调
8−bit CPU (EEPROM)
• 37 条 RISC 指令: 4T
• 16 MHz / 4T (VDD ≥ 2.5)
• 多达 8 个引脚
I/O PORTS (多达 6 个 I/O)
• 上拉电阻
• 2 个 I/O 源电流: 3, 6 or 24mA (5V, 25°C)
• 2 个 I/O 漏电流: 53 or 67 mA (5V, 25°C)
• 6 个 I/O: 中断/唤醒
Memory
• PROGRAM: 1k x 14 bit (读/写保护)
• DATA: 128x 8 bit
• RAM: 64x 8 bit
• 8 层硬件堆栈
• 用户密匙：Hex 加密
电源管理
• SLEEP
• LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)
• LVD: 1.2, 1.8, 2, 2.4, 2.7, 3, 3.3, 3.6, 4 (V) (LVD 可用作极性可选的单输入比较器功能)

工作条件 (5V, 25°C)
• VDD (VPOR ≤ 1.9V) VPOR − 5.5 V (通过 POR 自动调整，0°C 以上 ≤1.7V)
• 工作温度等级 1 −40 − +125 °C
• 工作温度等级 2 −40 − +105 °C
• 工作温度等级 3 −40 − + 85 °C
• 低 Standby 0.2 μA
• WDT 2.5 μA
• 正常模式 (16 MHz) 136 μA/mips
系统时钟 (SysClk)
• HIRC 高速内部振荡器
✓ 16MHz <±1.0% typical (2.5−5.5V, 25°C)
✓ 可微调
✓ 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 分频
• LIRC 低功耗低速内部振荡器
✓ 32 kHz 或 256 kHz
• EC 外部时钟输入 (I/O 输入)
高可靠性
• 100 万次擦写次数 (typical)
• > 20 年 / 85°C 存储 (typical)
• ESD > 4 kV
• EFT > 5.5 kV

其他特性 (欢迎垂询)
• ½ VDD LCD 偏置
PWM (Total 4)
• 支持在 SLEEP 下运行
• 共 4 个通道 (相同周期) ：
✓ 独立：占空比，极性
• 1 个通道 (多达 2 个 I/O)：
✓ 互补输出+死区
• 自动故障刹车 (I/O, LVD)
• XOR, XNOR 第 2 功能
• 单脉冲模式
• 蜂鸣器模式
Timers
• WDT (16−bit): 7−bit 后分频
• Timer0 (8−bit): 8−bit 预分频
• Timer2 (16−bit): 4−bit 预分频和后分频
• 支持在 SLEEP 下运行
• LIRC, HIRC, 1 or 4x {指令时钟}
集成开发环境 (IDE)
• 片上调试 (OCD)，ISP
• 1 个硬件断点
• 软复位，暂停，单步，运行等
封装
• SOT23-6 SOP8
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