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FT60F211-RB
FT60F211-RB
主要参数
封装:SOP8
ROM:1K
RAM:64
属性:flash
类型:IO

艾能微提供FT60F211-RB型号单片机规格书及详情文档
提供技术支持及开发工具,烧录编带打字等服务
可开发单片机方案及PCBA方案 
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FT60F211-RB特性
主要特性
8bit 基于 EEPROM RISC MCU
Program: 1k x 14; RAM: 64 x 8; Data: 128x 8
6 / 8 引脚
3 个定时器, 4 路独立 PWM 1 路带死区控制
Standby, WDT 和工作电流
POR, LVR, LVD – 单输入比较器
可配置源电流和灌电流
ESD, EFT
VDD工作电压
HIRC 可微调
8bit CPU (EEPROM)
37 RISC 指令: 4T
16 MHz / 4T (VDD ≥ 2.5)
多达 8 个引脚
I/O PORTS (多达 6 I/O)
上拉电阻
2 I/O 源电流: 3, 6 or 24mA (5V, 25°C)
2 I/O 漏电流: 53 or 67 mA (5V, 25°C)
6 I/O: 中断/唤醒
Memory
PROGRAM: 1k x 14 bit (/写保护)
DATA: 128x 8 bit
RAM: 64x 8 bit
8 层硬件堆栈
用户密匙:Hex 加密
电源管理
SLEEP
LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)
LVD: 1.2, 1.8, 2, 2.4, 2.7, 3, 3.3, 3.6, 4 (V) (LVD 可用作极性可选的单输入比较器功能)

工作条件 (5V, 25°C)
VDD (VPOR ≤ 1.9V) VPOR − 5.5 V (通过 POR 自动调整,0°C 以上 ≤1.7V)
工作温度等级 1 40 − +125 °C
工作温度等级 2 40 − +105 °C
工作温度等级 3 40 − + 85 °C
Standby 0.2 μA
WDT 2.5 μA
正常模式 (16 MHz) 136 μA/mips
系统时钟 (SysClk)
HIRC 高速内部振荡器
16MHz <±1.0% typical (2.5−5.5V, 25°C)
可微调
1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 分频
LIRC 低功耗低速内部振荡器
32 kHz 256 kHz
EC 外部时钟输入 (I/O 输入)
高可靠性
100 万次擦写次数 (typical)
> 20 / 85°C 存储 (typical)
ESD > 4 kV
EFT > 5.5 kV

其他特性 (欢迎垂询)
½ VDD LCD 偏置
PWM (Total 4)
支持在 SLEEP 下运行
4 个通道 (相同周期)
独立:占空比,极性
1 个通道 (多达 2 I/O)
互补输出+死区
自动故障刹车 (I/O, LVD)
XOR, XNOR 2 功能
单脉冲模式
蜂鸣器模式
Timers
WDT (16−bit): 7−bit 后分频
Timer0 (8−bit): 8−bit 预分频
Timer2 (16−bit): 4−bit 预分频和后分频
支持在 SLEEP 下运行
LIRC, HIRC, 1 or 4x {指令时钟}
集成开发环境 (IDE)
片上调试 (OCD)ISP
1 个硬件断点
软复位,暂停,单步,运行等
封装
SOT23-6 SOP8

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ft60f21x_ds_rev2p02_cn

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