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NY8A050D
NY8A050D
主要参数
基本参数
品牌:台湾九齐
封装:SOT6/SOT8
类型:OTP
ROM:0.5k*14
RAM:32*8

深圳市艾能微科技提供NY8A050D相关数据及技术支持
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NY8A050D概述
NY8A050D是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器,專為多IO產品的應用而設計,例如遙控器、風扇/燈光控制或 是遊樂器周邊等等。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本高性能等顯著優勢。NY8A050D核心建立在RISC精簡 指令集架構可以很容易地做編輯和控制,共有 55 條指令。除了少數指令需要 2 個時序,大多數指令都是 1 個時序即 能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應用。因此非常適合各種低記憶容量但又複雜的應用。 I/O的資源方面,NY8A050D6 根彈性的雙向I/O腳,每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一 個I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。 NY8A050D有一組計時器,可用系統頻率當作一般的計時的應用或者從外部訊號觸發來計數。 NY8A050D採用雙時鐘機制,高速振盪或者低速振盪都由內部RC振盪輸入。在時鐘機制下,NY8A050D可選擇多 種工作模式如正常模式(Normal)慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節省 電力消耗延長電池壽命。 在省電的模式下如待機模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中,有多種事件可以觸發中斷喚醒NY8A050D進 入正常操作模式(Normal) 慢速模式(Slow mode) 來處理突發事件。

 功能
寬廣的工作電壓:
2.0V ~ 5.5V @系統頻率≦8MHz
2.2V ~ 5.5V @系統頻率>8MHz
寬廣的工作温度:-40°C ~ 85°C
512x14 bits EPROM
32 bytes SRAM
6 根可分別單獨控制輸入輸出方向的I/O(GPIO)PB[5:0]
PB[3:0]可選擇輸入時使用內建下拉電阻。
PB[5:0]可選擇上拉電阻。
PB[5:4]PB[2:0]可選擇開漏極輸出(Open-Drain)
PB[3]可選擇當作輸入或開漏極輸出(Open-Drain)
4 層程式堆棧 (Stack)
存取資料有直接或間接定址模式。
一組 8 位元上數計時器(Timer0)包含可程式化的頻率預除線路。
內建上電復位電路(POR)
內建低壓復位功能(LVR)
內建看門狗計時(WDT),可由程式韌體控制開關。
雙時鐘機制,系統可以隨時切換高速振盪或者低速振盪。
高速振盪: I_HRC (1~20MHz內部高速RC振盪)
低速振盪: I_LRC (內部 32KHz低速RC振盪)
四種工作模式可隨系統需求調整電流消耗:正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby  mode) 與 睡眠模式(Halt mode)三種硬體中斷:
Timer0 溢位中斷。
PB 輸入狀態改變中斷。 外部中斷輸入。
NY8A050D在待機模式(Standby mode)下的三種喚醒中斷:
Timer0 溢位中斷。
PB 輸入狀態改變中斷。
外部中斷輸入。
NY8A050D在睡眠模式(Halt mode)下的二種喚醒中斷:
PB 輸入狀態改變中斷。
外部中斷輸入。

NY8A050D需求请咨询艾能微客服,可提供产品详情表及产品详细规格,选型指南及技术支持
8A050D

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